MEVVA相关论文
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，......
利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,......
针对几种钢部件的磨损、耗能问题，本课题组应用ＭＥＶＶＡ源离子注入技术，对Ｈ１３、Ｔ１０Ａ、ＨＳＳ、Ｃｒ１７等钢材料进行了离子注入表面改性研究，得出了提高钢耐磨性和改......
金属等离子体浸没注入 (MEPIII)技术与金属蒸气真空弧 (MEVVA)源注入技术有相同之处 ,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离......
采用了卢瑟福背散射、俄歇电子能谱和X射线衍射等现代表面分析技术，研究了Ta离子注人和Ta+C双注入的钻粘结碳化钨（WC－Co）硬质合金表面......
室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同剂量的银离子注入到单晶６Ｈａ－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了......
研究采用了ＭＥＷＡ源等离子体浸没离子注入的方法。利用钛的等离子体的沉积与自身离子的注入．形成ＩＢＡＤ效应。在氮气气氛环境下，在ＡＩＳ１３０４不锈钢表面获得......
作者正在研制一种在直流方式下工作,可输出离子束截面很大的金属气化真空弧(以下简称Mevva)离子源。在初步试验中,采用一组直径为1......
采用静电探针方法测量了ＭＥＶＶＡ（金属蒸汽真空弧）离子源中的等离子体。得到了单探针、双探针的特性曲线，等离子体电子温度和等离子体离子密度......
,Effect of void formation during MEVVA tungsten ion implantation on the microstructure and surface p
H13 die steel was implanted with tungsten using a matal vapour vacuum arc (MEVVA)ion source.When the pulsed beam current......
近年来,具有低电阻率和优良的化学稳定性的金属硅化物因其广阔的应用前景而受到人们的注意,并发展了多种合成技术.其中离子束合成(......
EBIT装置，即电子束离子阱(electron beam ion trop)，是近年来国际上新发展的一种离子束实验装置，可以产生几乎静止的高电荷态离子。它......
Surface characteristics and corrosion resistance of biodegradable magnesium alloy ZK60 modified by F
The ZK60 magnesium alloy has been modified by Fe ion implantation and deposition with a metal vapor vacuum arc plasma so......
Surface characteristics and corrosion resistance of biodegradable magnesium alloy ZK60 modified by F
The ZK60 magnesium alloy has been modified by Fe ion implantation and deposition with a metal vapor vacuum arc plasma so......
采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子注入机，合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜，并对其进行成分和结构分析。在小束流2．5gA·cm^-2、小注量5&......
首次采用金属弧（MEVVA）源对氧化铝、氮化硅等陶瓷刀具进行了注入金属钛、锆和铬离子改性研究，确定了注入剂量与陶瓷刀具性能之间的关......
选取质量差异很大的Ｃ、Ｔｉ、Ｔｉ＋Ｃ离子对钢进行了离子注入，用透射电子显微镜对注入样口横截面进行结构分析。结果表明，注入层结构发生了明显的......
采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温......
Investigation on the Tribology of Co Implanted Stainless Steel Using Metal Vapor Vacuum Arc Ion Sour
AISI 304 stainless steel was ion implanted with Co, and the tribological property on the surface of the stainless steel ......
利用从金属蒸汽真空弧离子源（简称ＭＢＶＶＡ源）引出的强束流钼离子对纯铝进行了不同束流密度的离子注入。加速电压为４８ｋＶ，剂量为３×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２），束流密度为２５和......
利用MEVVA源(金属蒸汽真空弧离子源)引出的强束流脉冲钼离子对H13钢进行了不同束流密度的离子注入。加速电压是48kV,剂量为2×......
用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有......
采用静电探针方法测量了ＭＥＶＶＡ离子源中的等离子体，得到了单探针，双探针的特性曲线，等离子体电子温度和等离子体离子密度以及离子密度随离子......
通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角，从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构─......
利用原子发射光谱对等离子体粒子密度进行诊断的Saha-Boltzmann方程法,并对其进行了改进.并结合多谱线斜率法,针对用英国avantes公......
为发展金属离子束材料表面改性技术的工业应用，北师大低能核物理所研制成阴极真空弧离子源和离子注入装置，简要介绍该设备的结构、原......
Ti-6Al-4V材料表面不具备抑菌性,导致细菌黏附形成细菌生物膜,该生物膜难以用抗生素治愈。我们前期实验证明Ag+作为材料表面定植抑......
本文报道金属蒸发真空孤放电（ＭＥＶＶＡ）型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ。阴极触发脉冲１２ｋＶ，脉冲宽度９０μｓ，脉冲重复率１－５次／ｓ。引出束流......
Ti ion implantation was implanted into PVD-TiN films using a metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion source implanted zone wa......
The electronic state density and energy bands of Ag-doped anatase TiO2 are studied by WIEN2k software package based on D......
本文介绍的ＭＥＶＶＡ源采用电动推进式可更换单阴极弧放电机构和加减速三栅引出系统，耐压水平在于５０ｋＶ，平均束流大于５ｍＡ，束班约Ф１５０，束的不均匀度小于......
